昆山海驰电子有限公司

MOS管FQPF2N60C仙童-飞兆-FAIRCHILD-东芝-ST代理

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQPF2N60C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:TO-220-3 整包 材料:N-FET硅N沟道

MBR20100CT现货,长电-ST先科-UTC-IR-Vishay-ST意法-ON代理

品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:MBR20100CT 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:LMP-C/阻抗变换 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

TIP142TTU现货,长电-ST-UTC-FAIRCHILD仙童代理-可开17%增税

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:TIP142TTU 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

KA5L0380RYDTU-IR-TI-ST-FAIRCHILD仙童代理-可开17%增税

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:KA5L0380RYDTU 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

40CPQ100PBF现货,长电-ST先科-UTC-IR-Vishay威世代理

品牌/商标:Vishay/威世通 型号/规格:40CPQ100PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

30ETH06PBF长电-ST-UTC-IR-Vishay威世代理可开17%增税

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:30ETH06PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

42CTQ030PBF长电-ST-UTC-IR-Vishay威世代理可开17%增税

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:42CTQ030PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

40CPQ050长电-ST-UTC-IR-Vishay威世代理可开17%增税

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:40CPQ050 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

IRFR024NTRPBF长电-ST-UTC-IR-Vishay威世代理可开17%增税

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFR024NTRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

IRG4PH40K长电-ST-UTC-IR-Vishay威世代理可开17%增税

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRG4PH40K 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

IRFU024NPBF长电-ST-UTC-IR-Vishay威世代理可开17%增税

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFU024NPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

IRGP35B60PDPBF长电-ST-UTC-IR-Vishay威世代理可开17%增税

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRGP35B60PDPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

IRG4PC50UDPBF长电-ST-UTC-IR-Vishay威世代理可开17%增税

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRG4PC50UDPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

IRLR024NTRPBF长电-ST-UTC-IR-Vishay威世代理可开17%增税

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRLR024NTRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

IRG4PH50K长电-ST-UTC-IR-Vishay威世代理可开17%增税

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRG4PH50K 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

IRG4PH30KD长电-ST-UTC-IR-Vishay威世代理可开17%增税

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRG4PH30KD 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

IRLR024Z长电-ST-UTC-IR-Vishay威世代理可开17%增税

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRLR024Z 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

IRG4PC30FD长电-ST-UTC-IR-Vishay威世代理可开17%增税

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRG4PC30FD 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

IRGP30B120KD长电-ST-UTC-IR-Vishay威世代理可开17%增税

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRGP30B120KD 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

IRG4PSH71KD长电-ST-UTC-IR-Vishay威世代理可开17%增税

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRG4PSH71KD 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） 极间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏极电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）